
ワルフタン W フィルムテープ
詳細情報 |
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製品名: | イオン部品を植え付けるタングステン | 等級: | W1 |
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密度: | 19.1 g/cc | 純度: | >99.95% |
引張強さ: | >174 MPa | 延長: | <14> |
標準: | ASTM B760-2010 | 適用: | 精密部品 |
ハイライト: | ASTM B760のタングステンの合金プロダクト,イオン部品を植え付けるASTM B760,イオン部品を植え付ける精密部品 |
製品の説明
イオン部品を植え付けるタングステンはイオン・インプランテーションの表面の研究そして適用でより有効、広く利用されている
非半導体材料の修正。多くの窒素のイオン・インプランテーションは実現し金属のイオン・インプランテーションは健康である場合もある
実現した。但し、半導体のイオン・インプランテーションの必要性に基づいて従来のイオンimplanterのためaを得ることは困難である
半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の比較的強い金属のイオン ビームおよび費用は比較的また非ある
高い。
指定及び化学成分(体言)
材料 | タイプ | 化学成分(重さによって) |
純粋なタングステン | W1 | >99.95%min.Mo |
タングステンの銅合金 | WCu | 10%~50%のCU/50%~90% W |
Tungtenの重い合金 | WNiFe | 1.5% - 10% NI、Fe、Moの |
Tungtenの重い合金 | WNiCu | 5% - 9.8% NIのCU |
タングステン レニウム | WRe | 再5,0% |
Molyのタングステン | MoW50 | 0,0% W |
イオン部品を植え付けるタングステンはイオン ビームが真空の固体材料に出るとき、イオン ビームは原子か分子をのたたくことを意味する
固体材料の表面からの固体材料。この現象は放出させること呼ばれる;
イオン ビームは固体材料に当るとき、固体材料またはパスの表面から固体材料を通って立ち直る。
これらの現象は分散呼ばれる;
もう一つの現象はイオン ビームが固体材料に撃たれた後、固体材料の抵抗によってゆっくり減ることである、
そして最終的に固体材料にとどまる。この現象はイオン・インプランテーションと呼ばれる。
缶の企業の型を押し、押す半導体の企業の精密型はかなりワーキング・ライフをの改善できる
これらの貴重品および精密型;
医学の整形外科の修理部品に(チタニウムの合金の人工関節のような)および外科手術用の器具に非常によい経済的なおよび社会がある
利点。
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