
ワルフタン W フィルムテープ
詳細情報 |
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製品名: | タングステンによって植え付けられるイオン部品 | タイプ: | W1 |
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密度: | 19.1 g/cc | 純度: | >99.95% |
引張強さ: | >175 MPa | 延長: | <12> |
標準: | ASTM B760 | 適用: | 注入型 |
ハイライト: | タングステンによって植え付けられるイオン部品,99.95%植え付けられたイオン部品,注入型のための植え付けられたイオン部品 |
製品の説明
タングステンによって植え付けられるイオン部品は要素のイオンがそれによりターゲットの身体検査の、化学または電気特性を変える固体ターゲットに、加速される低温プロセスである。イオン・インプランテーションは半導体デバイスの製造、金属の表面処理および物質科学の研究で使用される。イオンがターゲットに停止し、残れば、イオンは(イオンがターゲットの構成と異なっていれば)ターゲットの元素構成を変える。イオンが高エネルギーのターゲットに当る場合、イオン・インプランテーションによりまた化学および物理的な変更を引き起こす。
指定及び化学成分(体言)
材料 | タイプ | 化学成分(重さによって) |
純粋なタングステン | W1 | >99.95%min.Mo |
タングステンの銅合金 | WCu | 10%~50%のCU/50%~90% W |
Tungtenの重い合金 | WNiFe | 1.5% - 10% NI、Fe、Moの |
Tungtenの重い合金 | WNiCu | 5% - 9.8% NIのCU |
タングステン レニウム | WRe | 再5,0% |
Molyのタングステン | MoW50 | 0,0% W |
タングステンによって植え付けられるイオン部品は物質的な表面処理のためのハイテクノロジーの新しい世代である。それは一連の物理的および化学使用する
固体のある表面の特性を改良するために固体材料に高エネルギーの金属の要素のイオン ビームによって引き起こされる変更
材料。
結果は金属のイオン・インプランテーションがイオン・インプランテーションの表面の研究そして適用でより有効、広く利用されていることを示す
非半導体材料の修正。多くの窒素のイオン・インプランテーションは実現し金属のイオン・インプランテーションは健康である場合もある
実現した。但し、半導体のイオン・インプランテーションの必要性に基づいて従来のイオンimplanterのためaを得ることは困難である
半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の比較的強い金属のイオン ビームおよび費用は比較的また非ある
高い。
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