
高純度モリブデン・ディスク モ・ターゲット
詳細情報 |
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製品名: | タングステンおよびモリブデンの部品の高品質イオン源 | 等級: | Mo1 |
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密度: | 10.2 g/cm3 | 純度: | >=99.95% |
引張強さ: | >320 MPa | 延長: | <22> |
標準: | ASTM B387-2010 | 適用: | 精密鋳造物 |
ハイライト: | 99.95%モリブデンの部品,99.95%タングステンの部品,99.95%イオン源 |
製品の説明
タングステンおよびモリブデンの部品の高品質イオン源
タングステンおよびモリブデンの部品の源は中立原子または分子、およびイオン ビーム装置を得るためにである。それはさまざまな種類の不可欠な部品のような中立ビーム注入器装置のイオン加速装置、質量分析計、電磁石の同位体の分離器、イオン・インプランテーション、イオン ビームのエッチング装置、イオン スラスターおよび管理された融合装置である。
私達はOEMの質のイオンimplanterのためのタングステン、モリブデン、チタニウムおよび高度の陶磁器の部品および予備品を供給する。
axcelisのイオン源およびvarian implanterの陰極、アークの部屋、repeller、側面/エンドプレートおよび締める物を含む私達の主要なプロダクトは12"および16"の生産の処理でウエファーはたらいた。
タングステンおよびモリブデンの部品は半導体の製造の間に重要なプロセスである。「外国原子」が付いているImplantersのドープ塗料のウエファー伝導性または結晶構造のような物質的な特性を変更するため。
部品
要素 | チタニウム | Zr | C | O | Al | Fe | Mg | NI | Si | N | Mo |
内容(重量、%) | 0.4-0.55 | 0.06-0.12 | 0.01-0.04 | ≤0.03 | ≤0.002 | ≤0.01 | ≤0.002 | ≤0.002 | ≤0.002 | ≤0.002 | 残り |
タングステンおよびモリブデンの部品指定
サイズ | (0.1-40) X (50-600) X (100-1500) mm |
密度 | ≥10.1 g/cm3 |
引張強さ | ≥830 MPa |
降伏強さ | ≥690 MPa |
延長 | ≥10% |
硬度 | HV240-280 |
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