
高純度モリブデン・ディスク モ・ターゲット
詳細情報 |
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製品名: | タングステンおよびモリブデンの部品のイオン・インプランテーションの源 | 等級: | Mo1 |
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密度: | 10.2 g/cm3 | 純度: | >=99.95% |
引張強さ: | >320 MPa | 延長: | <22> |
標準: | ASTM B387-2010 | 適用: | 精密鋳造物 |
ハイライト: | タングステンおよびモリブデン プロダクト,タングステンのイオン・インプランテーションの源,モリブデンのイオン・インプランテーションの源 |
製品の説明
タングステンおよびモリブデンの部品のイオン・インプランテーションの源は半導体の生産の重要なプロセスである。Implanterシステムは伝導性または結晶構造のような物質的な特性を変更するために外国原子が付いているウエファーを添加する。ビーム道はimplanterシステムの中心である。ここにイオンはウエファーに非常に発生し、集中され、加速され、そして高速で焦点を合わせる。
処理し難い金属からなされる私達の部品および予備品はこのプロセスが可能ように不純物が同様に有効、精密、ないことの保障を助ける。
タングステンおよびモリブデンの部品の記述のイオン・インプランテーションのもと
私達は良質をの精密機械で造った半導体の製造で、イオン・インプランテーションを含んで、MOCVD使用される、プロセス用機器のためのモリブデンおよびタングステンの部品をCVD、PVD提供する。
私達のものはモリブデンおよびタングステン材料の製造の経験、専門知識および知識私達が精密を提供することを可能にするためにあなたの指定に合う部品を機械で造った。
私達はOEMの質のイオンimplanterのためのタングステン、モリブデン、チタニウムおよび高度の陶磁器の部品および予備品を供給する。
axcelisのイオン源およびvarian implanterの陰極、アークの部屋、repeller、側面/エンドプレートおよび締める物を含む私達の主要なプロダクトは12"および16"の生産の処理でウエファーはたらいた。
高純度のタングステン モリブデン アークの部屋は半導体の破片のための基本的な保証である。高性能イオン源のタングステンおよびモリブデンの部品は機械維持の頻度を非常に減らし、顧客のための最もよい選択である顧客の製品容量を保障する。
タングステンおよびモリブデンの部品映像のイオン・インプランテーションのもと:
サイズ | デッサンごとに製造される |
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材料 | 純粋なMo |
純度 | Mo≥99.95% |
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