
高純度モリブデン・ディスク モ・ターゲット
詳細情報 |
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製品名: | 部品を植え付けるモリブデン イオン | 等級: | Mo1 |
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密度: | 10.2 g/cc | 純度: | >=99.95% |
引張強さ: | >320 MPa | 延長: | <22> |
標準: | ASTM B387-2010 | 適用: | 射出成形 |
ハイライト: | 射出成形のモリブデン プロダクト,ASTM B387のモリブデン プロダクト,ASTM B387イオン インプラント |
製品の説明
部品を植え付けるモリブデン イオンは表面処理のためのハイテクな材料の新しい世代である。固体材料のある特定の表面の特性を改良するために固体材料を書き入れることを高エネルギー金属の要素のイオンビームによって引き起こされる一連の物理的な、化学変化を使用する。
指定及び化学成分(体言)
材料 | タイプ | 化学成分(重さによって) |
純粋なMoly | Mo1 | >99.95%min.Mo |
チタニウムZr Mo合金 | TZM | 0,5%のチタニウム/0,08%のZr/0,01 - 0,04% C |
Mo HfC | MHC | 1,2% Hf/0,05 - 0,12% C |
Molyレニウム | もっと | 再5,0% |
Molyのタングステン | MoW20 | 20,0% W |
Molyのタングステン | MoW505 | 0,0% W |
結果はモリブデンのイオン・インプランテーションが半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の研究そして適用で非より有効、広く利用されていることを示す。多くの窒素のイオン・インプランテーションは実現し金属のイオン・インプランテーションはよく実現することができる。但し、半導体のイオン・インプランテーションの必要性に基づいて従来のイオンimplanterのため比較的強い金属のイオン ビームを得ることは困難であり非半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の費用はまた比較的高い。
表面処理の技術の優越性、実行可能性および広い市場見通しは部門およびずっと単位によってますます確認され、広く利用されている。研究開発の年に従って、金属のイオン・インプランテーションは次のタイプの用具、型および部品の表面処理のために特に適している:
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