
高純度モリブデン・ディスク モ・ターゲット
詳細情報 |
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製品名: | Mo1イオンは部品を植え付けた | タイプ: | Mo1 |
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密度: | 10.2 G/cm3 | 純度: | >=99.95% |
引張強さ: | >325 MPa | 延長: | <20> |
標準: | ASTM B387-01 | 適用: | 精密部品 |
ハイライト: | モリブデン イオンは部品を植え付けた,精密イオンは部品を植え付けた,精密mplant半導体 |
製品の説明
イオンはモリブデンの部分をである非半導体の物質的なイオン・インプランテーションの表面の修正の研究そして適用でより有効、広範植え付けた。多くの窒素のイオン・インプランテーションを達成することができない金属のイオン・インプランテーションを非常によく達成することができる。但し、従来のイオンimplanterは半導体のイオン・インプランテーションの条件に基づき、比較的強い金属のイオン ビームを得ることは困難であり非半導体材料のためのイオン・インプランテーションの表面の修正の費用は比較的高い。
指定及び化学成分
材料 | 等級 | 化学成分(重さによって) |
純粋なMoly | Mo1 | >99.95%min.Mo |
チタニウムZr Mo合金 | TZM | 0,5%のチタニウム/0,08%のZr/0,01 - 0,04% C |
Mo HfC | MHC | 1,2% Hf/0,05 - 0,12% C |
Molyレニウム | もっと | 再5,0% |
Molyのタングステン | MoW20 | 20,0% W |
Molyのタングステン | MoW505 | 0,0% W |
結果は金属イオンimplanterが半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の研究そして適用で非より有効、広く利用されていることを示す。多くの窒素のイオン・インプランテーションは実現し金属のイオン・インプランテーションはよく実現することができる。但し、半導体のイオン・インプランテーションの必要性に基づいて従来のイオンimplanterのため比較的強い金属のイオン ビームを得ることは困難であり非半導体材料のイオン・インプランテーションの表面の修正の費用はまた比較的高い。
モリブデン イオンImplanterは映像を分ける:
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