
高純度モリブデン・ディスク モ・ターゲット
詳細情報 |
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材料: | 純粋なモリブデンおよびモリブデンの銅 | 標準: | ASTM B387 |
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分THK: | 0.05mm | 表面: | 明るいミラー |
融点: | 2623 °C | 沸点: | 4639 °C |
サイズ: | カスタマイズされた | 技術: | Hot Rolling、冷間圧延する |
ハイライト: | モリブデン プロダクト ウエファーの基質,Mo MoCuのモリブデンのウエファーの基質,半導体のためのモリブデンのウエファーの基質 |
製品の説明
モリブデン、モリブデンの銅およびタングステンの銅材料から成っているウエファーの基質:LEDランプの耐久財を作ることを、信頼でき、強い部品が装備されていなければならない。私達のモリブデンを使うと、MoCuおよびWCuのウエファーの基質、LEDの破片は容易に耐用年数の100,000時間に達することができる。
モリブデン、モリブデンの銅およびタングステンの銅材料から成っているウエファーの基質:
LEDランプの耐久財を作ることを、信頼でき、強い部品が装備されていなければならない。私達のモリブデンを使うと、MoCuおよびWCuのウエファーの基質、LEDの破片は容易に耐用年数の100,000時間に達することができる。
LEDの破片の半導体の層はライトに現在を変える。半導体の層は電子地域(Nタイプの添加)および穴の地域(Pタイプの添加)で構成される。半導体の層による現在の流れ、および電子は穴と光子の形でライトを出すために結合する。残りのエネルギーは温度の熱放射として85まで°C.解放される。
材料 | 純粋なモリブデン、MoCUの合金 |
サイズ | 厚さ0.05mm分/直径300mmまで |
表面 | 冷間圧延される、磨かれた |
荒さ | 明るいミラー |
プロセス | レーザーの切断は、型押した |
未来のLEDsに高い明るさがあり、実用温度は増加する。不運をもたらすことは熱解決を顧客に与える異なった必要性のために異なった材料を使用する。例えば、LEDのサファイアかケイ素 ベースの基質に基づいて縦の構造の破片私達は純粋なモリブデンの基質を供給する;そして、私達がサファイアの基質、モリブデンの銅およびタングステン銅の合成物の縦の構造のために成長したように。
利用できるモリブデンおよびモリブデン銅のウエファーの基質に2の0.05 mmそして最低の直径の最低の厚さがinにある。私達はウエファーの基質を直径の4番までのインチまたはより大きい供給してもいい。ウエファーの基質の荒さにそして平坦に半導体の層の接着プロセスの決定的な影響がある。私達は異なったプロセスのための表面処理を、連絡する私達に提供する。
必要とすれば、私達のモリブデン、モリブデン銅およびタングステン銅のウエファーの基質は塗ることができる。例えば、私達のニッケル金のコーティングは酸化に対して抵抗力があり、基質の腐食を防ぐ。さらに、私達のニッケル金の層は反射層および脱熱器のはんだまたは接着インターフェイスである。
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