ヒップ/Cipが付いている微粒子のサイズのタングステンの放出させるターゲット/炉プロセス

タングステンの放出させるターゲットは半導体デバイスの機能転移を実現する酸化膜タングステンのための重要な基質である。タングステン、タングステン ターゲットの高い融点が原因で主に粉末や金によって準備される

、高い電子輸送の抵抗および高い電子放射係数、処理し難い金属のタングステンおよびタングステンの合金高温安定性が原因で半導体の大規模の集積回路のずっと製造業で広く利用されている。半導体のための高純度のタングステンおよびタングステンの合金ターゲット。材料の適用分野、性能要件および準備方法は詳しく分析され、開発傾向は探鉱された。高純度のタングステンおよびタングステンの合金ターゲットが主に半導体の集積回路のゲート電極、関係の配線および拡散障壁を製造するのに使用されている。等、

材料、不純物内容、密度、結晶粒度および粒状組織の均等性の純度に非常に高い条件がある。高純度のタングステンおよびタングステンの合金ターゲットは主に中間周波数の焼結による高温圧縮、熱い地殻均衡押すこと、等を+、高純度処理する使用する、圧力高密度タングステン ターゲットは準備することができるが結晶粒度および粒状組織の均等性制御は熱い地殻均衡押すことによって準備されるタングステン ターゲット、ない。

放出させることのための焼結させたタングステン ターゲットは99%の比重をまたは原料のタングステンの粉のために改善された生産の状態および改善された焼結の状態を使用する安価でもっと表わすそれ、100つのmの平均結晶粒の直径またはより少なく、500 MPaの20 PPMまたはより少なくおよび偏向力またはもっとおよび安定性のタングステン ターゲットを準備するための方法の酸素分で、特徴付けた。焼結させたタングステン ターゲットに慣習的な圧力焼結方法によって決して達成されないし、粒子の欠陥の発生の重要な減少で起因した、偏向力で著しく改良される結晶構造の優良さの密度そして高度のhigh-levelがある。

材料:タングステン

条件:地面

適用:PVDのコーティング工業、X線管等。